|
Транзисторы
|
|
| 50KCB001 | Дата: Суббота, 20.11.2010, 09:45 | Сообщение # 1 |
 Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 7811
Статус: Offline
| RD16HHF1
|
| |
| |
| 50KCB001 | Дата: Суббота, 20.11.2010, 09:46 | Сообщение # 2 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 7811
Статус: Offline
| RD70HHF1
|
| |
| |
| 50KCB001 | Дата: Суббота, 20.11.2010, 09:47 | Сообщение # 3 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 7811
Статус: Offline
| MRF 454m
|
| |
| |
| 50KCB001 | Дата: Суббота, 27.08.2022, 21:34 | Сообщение # 4 |
|
Генералиссимус
Группа: Администраторы
Сообщений: 7811
Статус: Offline
| КТ971А
ЕСТЬ ВОЗМОЖНОСТЬ ПОМЕНЯТЬ НА ДЕНЬГИ, НОВЫЕ МОЩНЫЕ "ВЕРТОЛЕТИКИ" С ПОЗОЛОЧЕННЫМИ КОНТАКТАМИ - КТ971А...
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и
автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Внутри
корпуса имеется согласующее LС-звено. Тип прибора указывается на
корпусе.
Масса транзистора не более 9 г. Тип корпуса: КТ-56. Технические условия: аА0.336.462 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ971А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 220 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе
коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 17 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении
коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА
(50В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 330 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс
*Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
* КРУТО РАБОТАЮТ В УСИЛИТЕЛЯХ НА СиБи ДИАПАЗОНЕ!
*ОДНОГО ТРАНЗИСТОРА, ЧТОБЫ ВСТАВИТЬ ЗОЛОТЫЕ ЗУБЫ, НЕ ХВАТИТ, НАДО БРАТЬ ПАЧКУ...
|
| |
| |
